據(jù)外媒12月24日?qǐng)?bào)道，高通發(fā)布驍龍845芯片的新聞熱度還未減退，現(xiàn)在已有針對(duì)其后繼產(chǎn)品驍龍855的傳聞。驍龍845采用了三星10納米FinFET工藝，而驍龍855將采用最新的7納米工藝技術(shù)。

日經(jīng)新聞稱，鑒于驍龍835和845已由三星生產(chǎn)，高通將選擇臺(tái)積電代工驍龍855。臺(tái)積電還將為高通打造下一代用于智能手機(jī)和輕便敞篷車的調(diào)制解調(diào)器芯片。

高通的芯片廣泛應(yīng)用于全球高端安卓智能手機(jī)，從三星到臺(tái)積電的轉(zhuǎn)變是個(gè)重磅消息。2017年，驍龍 835廣泛應(yīng)用于三星蓋世S8/S8 +、谷歌Pixel 2/Pixel 2 XL、HTC U11/U11 +、一加5和LG V30等智能手機(jī)。驍龍835還將應(yīng)用于一系列基于Windows 10的輕便筆記本電腦和敞篷車。據(jù)估計(jì)，隨著三星蓋世S9/S9+等產(chǎn)品的發(fā)布，驍龍 845將在2018年繼續(xù)保持態(tài)勢(shì)�？梢�(jiàn)，驍龍855有望在2019年占領(lǐng)移動(dòng)市場(chǎng)。

臺(tái)積電首款7納米芯片將于2018年上半年量產(chǎn)，而采用極紫外(EUV)技術(shù)的第二代7納米+芯片將于2019年上市。三星有望在2018年下半年推出首款7納米+EUV芯片。(編譯/陳倩云)