據(jù)美國媒體1月14日報道，英特爾和美光公司8日宣布，雙方已經(jīng)同意未來各自獨立開發(fā)3D NAND內(nèi)存，終止了他們在NAND技術(shù)開發(fā)方面的長期合作關(guān)系。雙方表示在終止合作之前要完成第三代3D NAND技術(shù)的開發(fā)。該技術(shù)將在今年年底交付，并延續(xù)到2019年初。近日又有外媒報道稱，英特爾將與清華紫光合作，在華生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。

芯片巨頭英特爾和內(nèi)存專家美光多年來共同合作開發(fā)NAND閃存技術(shù)。NAND閃存是一種廣泛應(yīng)用的非易失性存儲器，也就是說，即使在沒有連接電源的情況下，也可以保留存儲在其上的信息。智能手機、平板電腦、個人電腦和主要數(shù)據(jù)中心都依賴于NAND閃存來滿足其中大多數(shù)的存儲需求。

英特爾非易失性內(nèi)存解決方案部門高管羅布·克魯克斯(Rob Crooke)表示，英特爾和美光公司的NAND開發(fā)合作伙伴關(guān)系已經(jīng)達到了頂峰，現(xiàn)在是雙方進入各自關(guān)注的市場的正確時機。該公司沒有進一步詳細(xì)說明為什么這是分離的正確時機。

值得注意的是，英特爾和美光公司表示，雙方共同開發(fā)的3D XPoint技術(shù)將會繼續(xù)合作。它比NAND閃存更快，但生產(chǎn)成本更高。

最終，外媒認(rèn)為解散這一伙伴關(guān)系會帶來一些重大影響。首先，由于兩家公司不再打算將他們的工程資源集中在NAND閃存開發(fā)上，每家公司都需要在內(nèi)部填補空白。這最終可能會導(dǎo)致兩家公司的研發(fā)費用增加，從而導(dǎo)致盈利能力下降。下降程度最終將取決于每家公司對獨立技術(shù)開發(fā)團隊的重視程度。

更有趣的是，美光和英特爾有望成為更有力的競爭對手。如今，英特爾一般專注于NAND閃存市場的選定領(lǐng)域，用于數(shù)據(jù)中心和高端個人電腦的高性能存儲設(shè)備。美光更多的是一個通用主義者，為英特爾提供NAND閃存，以及英特爾沒有涉及的領(lǐng)域，比如智能手機內(nèi)存市場。

在未來的幾年中，我們可以看到英特爾更積極地進入NAND閃存市場的新領(lǐng)域，或者積極發(fā)展其參與的領(lǐng)域。美光科技也是加倍努力地進入英特爾獨占鰲頭的市場，例如數(shù)據(jù)中心存儲。

更激烈的競爭可能會對整個行業(yè)的NAND閃存價格產(chǎn)生負(fù)面影響，從而降低整個行業(yè)的盈利能力�？紤]到非易失性存儲器對英特爾來說只是一個小型相關(guān)業(yè)務(wù)，而美光是一個專門的內(nèi)存公司，因此結(jié)束伙伴關(guān)系并沒有給英特爾公司帶來很大損失，美光則不然。(編譯/王文雅)